Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)和全球供應(yīng)商。公司今天宣布推出六款表面貼裝器件（SMD），采用行業(yè)標準PQFN 5x6和8x8封裝。這些SMD提供Transphorm專利SuperGaN® d-mode雙開關(guān)常閉式平臺所帶來的可靠性和性能優(yōu)勢，并采用為競品e-mode GaN器件常用的封裝配置。因此，這六款設(shè)備可在e-mode GaN解決方案中輕松用作第一設(shè)計源，或用作引腳對引腳兼容的插拔式替換和/或第二來源。

對于需要SuperGaN平臺的額外熱性能的電源系統(tǒng)，Transphorm另提供采用經(jīng)優(yōu)化Performance封裝的SMD。無論何種封裝，所有Transphorm器件都具有易于設(shè)計和驅(qū)動的特點，因為d-mode配置使用的是與GaN HEMT配對的低電壓Silicon MOSFET。該平臺配置還允許使用標準的現(xiàn)成品控制器和/或驅(qū)動器，進一步提升了Transphorm系列產(chǎn)品的卓越驅(qū)動性和可設(shè)計性。

Transphorm業(yè)務(wù)拓展和營銷高級副總裁Philip Zuk表示：“Transphorm持續(xù)生產(chǎn)強大的GaN器件組合，覆蓋了當今最廣泛的功率范圍。通過推出這些行業(yè)標準封裝，我們進一步鞏固了我們的低功率策略，而在此前，我們剛剛發(fā)布了與Weltrend半導(dǎo)體共同開發(fā)的SiP封裝�，F(xiàn)在客戶可以選擇如何利用SuperGaN的優(yōu)勢，不論是通過Performance封裝、引腳對引腳e-mode兼容的行業(yè)標準封裝還是通過系統(tǒng)級封裝�！�

SuperGaN插拔式替換的優(yōu)勢

經(jīng)證明，用SuperGaN d-mode FET替換e-mode器件能夠降低傳導(dǎo)損耗，提供更高的性能和更低的工作溫度，從而實現(xiàn)更長的壽命可靠性。這是由于與e-mode GaN常閉式設(shè)備相比，d-mode GaN常閉式設(shè)備從根本上具有內(nèi)在的優(yōu)勢。最近的一次直接比較便可為此提供證明，該測試用72 mΩ SuperGaN技術(shù)替換了280W游戲筆記本電腦充電器的50 mΩ e-mode設(shè)備：https://bit.ly/diraztbISP。

在充電器分析中，SuperGaN FET可以在控制器的輸出電壓范圍內(nèi)工作（而e-mode需要電平轉(zhuǎn)換），且溫度更低。SuperGaN的電阻溫度系數(shù)（TCR）約比e-mode低 25%，有助于降低傳導(dǎo)損耗。此外，外圍元件數(shù)量減少了20%，表明原材料成本也更低。

行業(yè)標準的SMD系列產(chǎn)品

Transphorm的行業(yè)標準PQFN設(shè)備清單如下：

器件

導(dǎo)通電阻（毫歐）

封裝

TP65H070G4LSGB

72

PQFN88

TP65H150BG4JSG

150

PQFN56

TP65H150G4LSGB

150

PQFN88

TP65H300G4JSGB

240

PQFN56

TP65H300G4LSGB

240

PQFN88

TP65H480G4JSGB

480

PQFN56

這些設(shè)備共享的主要特點包括：

符合JEDEC標準

動態(tài)RDS(on)eff生產(chǎn)測試

市場領(lǐng)先的穩(wěn)健設(shè)計，寬柵極安全裕度，瞬態(tài)過電壓能力

極低的逆向恢復(fù)電荷

減少交叉損耗

目標應(yīng)用

72 mΩ FET的優(yōu)化設(shè)計適用于數(shù)據(jù)通信、廣泛的工業(yè)、光伏逆變器、伺服電機、計算系統(tǒng)和普通消費類應(yīng)用。

150、240和480 mΩ FET的優(yōu)化設(shè)計適用于功率適配器、低功率開關(guān)電源、照明和低功率消費類應(yīng)用。

供貨情況