Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是提供卓越的高效能氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)軍企業(yè)。公司今天宣布推出其1200伏場(chǎng)效應(yīng)晶體管仿真模型及初步數(shù)據(jù)表。TP120H070WS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，開(kāi)創(chuàng)了同類產(chǎn)品的先河。它的發(fā)布表明Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優(yōu)異的可靠性、同等或更優(yōu)越的性能，以及更為合理的成本。Transphorm最近驗(yàn)證了氮化鎵器件在100kHz開(kāi)關(guān)頻率的5kW 900伏降壓轉(zhuǎn)換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)了98.7%的效率，超過(guò)了具有類似額定值的量產(chǎn)SiC MOSFET。
創(chuàng)新的1200伏技術(shù)也突顯了Transphorm在氮化鎵功率轉(zhuǎn)換方面的領(lǐng)先地位。垂直集成、外延所有權(quán)和專利工藝，再加上數(shù)十年的工程專業(yè)知識(shí)，使該公司能夠?qū)⑿阅茏顑?yōu)異的氮化鎵器件組合推向市場(chǎng)，并且還在以下四個(gè)方面具有重大差異化優(yōu)勢(shì)：可制造性、可驅(qū)動(dòng)性、可設(shè)計(jì)性和可靠性。
PCIM 2023的與會(huì)者可以在5月9日至11日期間在7號(hào)展廳108號(hào)展位通過(guò)Transphorm的代表了解更多關(guān)于1200伏器件的信息。
初步器件型號(hào)規(guī)格和訪問(wèn)情況
Transphorm的1200伏技術(shù)以經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝和成熟的技術(shù)為基礎(chǔ)，滿足了客戶在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工藝目前正在LED市場(chǎng)內(nèi)進(jìn)行批量生產(chǎn)。此外，1200伏技術(shù)充分利用了Transphorm當(dāng)前器件組合中使用的性能優(yōu)越、通常關(guān)閉的氮化鎵平臺(tái)。
TP120H070WS器件的主要規(guī)格包括：
70 mΩ RDS（開(kāi)啟）
常關(guān)
高效雙向電流
± 20 Vmax柵極魯棒性
低4伏柵極驅(qū)動(dòng)抗擾度
零QRR
3引腳TO-247封裝
我們建議將Verilog-A器件型號(hào)與SIMetrix Pro v8.5電路模擬器結(jié)合使用。LTSpice型號(hào)正在開(kāi)發(fā)中，將于2023年第四季度發(fā)布。仿真建模有助于實(shí)現(xiàn)快速高效的電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)驗(yàn)證，同時(shí)還可減少設(shè)計(jì)迭代、開(kāi)發(fā)時(shí)間和硬件投資。
1200伏場(chǎng)效應(yīng)晶體管樣品預(yù)計(jì)會(huì)于2024年第一季度推出。
Transphorm氮化鎵在汽車動(dòng)力系統(tǒng)和充電生態(tài)系統(tǒng)中的應(yīng)用
1200伏氮化鎵器件不但是各種市場(chǎng)應(yīng)用的理想解決方案，而且也可為汽車系統(tǒng)提供獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
電動(dòng)汽車行業(yè)，尤其是在大型汽車的更高千瓦節(jié)點(diǎn)，在這個(gè)十年期的后半段正朝著800伏電池的方向發(fā)展。因此，1200伏電源轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)將會(huì)被用于提供所需的性能水平。因此，Transphorm的1200伏平臺(tái)在新一代車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、驅(qū)動(dòng)逆變器和桿式充電系統(tǒng)方面定會(huì)大顯身手。
對(duì)于使用400伏電池的當(dāng)前型號(hào)的電動(dòng)汽車，Transphorm提供650伏常關(guān)SuperGaN®場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這些晶體管符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，可承受175°C的高溫并已批量生產(chǎn)。
Transphorm首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh Mishra表示：“我們是展示和兌現(xiàn)氮化鎵潛能的領(lǐng)先功率半導(dǎo)體公司。我們的專業(yè)知識(shí)為市場(chǎng)帶來(lái)了無(wú)與倫比的氮化鎵器件，這些器件每天都在功率密度、性能和系統(tǒng)成本方面樹(shù)立新的標(biāo)準(zhǔn)。我們的1200伏技術(shù)證明了我們工程團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新愿景和決心。我們正在證明，氮化鎵可以很輕松地在此前由碳化硅壟斷的應(yīng)用市場(chǎng)中發(fā)揮作用，對(duì)于我們的業(yè)務(wù)和氮化鎵而言，這為其在市場(chǎng)中的廣泛采用開(kāi)辟了可能性�！�
關(guān)于 Transphorm
Transphorm，Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，該公司設(shè)計(jì)和制造用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵IP組合之一，具有1000多項(xiàng)自有或許可的專利，生產(chǎn)了業(yè)界首個(gè)符合JEDEC和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。該公司的垂直集成器件商業(yè)模式有利于在設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備和應(yīng)用支持等每個(gè)開(kāi)發(fā)階段進(jìn)行創(chuàng)新。Transphorm的創(chuàng)新使功率電子產(chǎn)品超越了硅的限制，實(shí)現(xiàn)了99%以上的效率，使得功率密度增加了50%，系統(tǒng)成本降低了20%。Transphorm總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造業(yè)務(wù)。
