三種新器件為基于SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常關(guān)D模式平臺優(yōu)勢，該系統(tǒng)要求在緊湊的占地面積內(nèi)以較低的熱阻獲得更高的可靠性及性能
Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN®FET，其導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也就是說SuperGaN TOLL FET可以用作任何電子模式TOLL解決方案的開箱即用型替代品。新器件還提供了Transphorm久經(jīng)驗(yàn)證的高電壓動(dòng)態(tài)（開關(guān)）導(dǎo)通電阻可靠性，這在基于廠家的主要電子模式GaN產(chǎn)品中通常是缺乏的。要對設(shè)備進(jìn)行采樣，請?jiān)L問Transphorm的產(chǎn)品頁面。
這三種表面安裝型器件（surface mount device，SMD）支持在1至3千瓦的平均范圍內(nèi)運(yùn)行的更高功率應(yīng)用。這些電力系統(tǒng)通常出現(xiàn)在高性能領(lǐng)域，如計(jì)算（人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機(jī)）以及其他各類工業(yè)市場，這些市場目前在全球的GaN TAM價(jià)值25億美元。值得注意的是，F(xiàn)ET是當(dāng)今快速擴(kuò)展的人工智能系統(tǒng)的最佳解決方案，這些系統(tǒng)依賴于需要高出傳統(tǒng)CPU十到十五倍功率的GPU。
Transphorm的高功率GaN設(shè)備已供應(yīng)給各個(gè)領(lǐng)域的主要客戶，這些客戶使用這些設(shè)備為其生產(chǎn)中的高性能系統(tǒng)供電，其中包括數(shù)據(jù)中心電源、高功率競技PSU、UPSe和微轉(zhuǎn)換器。TOLL設(shè)備也可以支持這些應(yīng)用，而基于電動(dòng)汽車的直流-直流轉(zhuǎn)換器和車載充電器也可以支持，其中基礎(chǔ)的SuperGaN芯片已經(jīng)通過了汽車（AEC-Q101）認(rèn)證。
SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六種封裝類型，為客戶提供了最廣泛的封裝選擇，以滿足其獨(dú)特的設(shè)計(jì)要求。與所有Transphorm產(chǎn)品一樣，TOLL器件利用了常關(guān)d模式SuperGaN平臺帶來的固有性能和可靠性優(yōu)勢。有關(guān)SuperGaN和e模式GaN之間的詳細(xì)競爭分析，請下載該公司最新的白皮書 《d模式GaN在Cascode配置中的基本優(yōu)勢》。該白皮書的結(jié)論與今年早些時(shí)候發(fā)布的一項(xiàng)正面比較一致。該比較顯示，在商用280 W游戲筆記本電腦充電器中，72毫歐姆的SuperGaN FET的性能優(yōu)于較大的50毫歐姆的電子模式設(shè)備。
SuperGaN器件憑借以下優(yōu)勢領(lǐng)先市場：
可靠性 < 0.03 FIT
閘門安全裕度 ± 20 V
抗噪性 4 V
電阻溫度系數(shù)（TCR）比e模式低20%
采用硅基控制器/驅(qū)動(dòng)器中現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器靈活性
設(shè)備規(guī)格
堅(jiān)固耐用的650V SuperGaN TOLL器件已通過JEDEC認(rèn)證。由于常關(guān)d模式平臺將GaN HEMT與低壓硅MOSFET配對，因此SuperGaN FET易于使用常用的現(xiàn)成柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。它們可以用于各種硬開關(guān)和軟開關(guān)AC到DC、DC到DC和DC到AC拓?fù)�，以提高功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)尺寸、重量和總體成本。
零件
尺寸 (mm)
RDS(on) (mΩ) typ
RDS(on) (mΩ) max
Vth (V) typ
Id (25°C) (A) max
TP65H035G4QS
10 x 12
35
41
4
46.5
TP65H050G4QS
10 x 12
50
60
4
34
TP65H070G4QS
10 x 12
72
85
4
29
可用性和支持資源
SuperGaN TOLL器件目前可供采樣。
優(yōu)化基于TOLL的系統(tǒng)開發(fā)的關(guān)鍵應(yīng)用說明包括：
AN0009：推薦用于Transphorm GaN FET的外部電路
AN0003：用于GaN功率開關(guān)的印刷電路板布局和探測
AN0014：用于中低功率GaN FET應(yīng)用的低成本、高密度高壓硅驅(qū)動(dòng)器
關(guān)于Transphorm
Transphorm, Inc.是GaN革命的全球領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)。該公司設(shè)計(jì)和制造用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性GaN半導(dǎo)體。Transphorm具有最大的功率GaN IP組合之一，擁有1000多項(xiàng)公司擁有或獲得許可的專利。該公司生產(chǎn)了業(yè)界首個(gè)符合JEDEC和AEC-Q101要求的高壓GaN半導(dǎo)體器件。該公司的垂直集成設(shè)備商業(yè)模式允許在每個(gè)開發(fā)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備和應(yīng)用支持等。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子產(chǎn)品超越了硅的限制，實(shí)現(xiàn)了超過99%的效率、50%以上的功率密度和20%以下的系統(tǒng)成本。Transphorm總部位于加利福尼亞州戈利塔，并在戈利塔和日本艾祖設(shè)有制造業(yè)務(wù)。
