Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功開發(fā)出一種光掩膜制造工藝，能夠適應(yīng)3納米（10-9米）光刻工藝，以支持半導(dǎo)體制造的尖端工藝——極紫外(EUV)光刻。

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[背景]

DNP不斷滿足半導(dǎo)體制造商對性能和質(zhì)量的要求。2016年，我們成為全球首家推出多光束掩膜寫入器(MBMW)的商業(yè)光掩膜制造商。2020年，我們開發(fā)出適用于5納米EUV光刻工藝的光掩膜制造工藝，并一直在供應(yīng)滿足半導(dǎo)體市場需求的掩膜。在此次最新的進展中，為了滿足進一步微型化的需求，我們開發(fā)出了能夠支持3納米工藝的EUV光刻用光掩模。

[摘要]

DNP于2016年推出的MBMW能夠發(fā)射約26萬束電子束，即使圖案形狀復(fù)雜，也能顯著縮短光刻時間。此次，我們利用該設(shè)備的特點改進了制造工藝，同時優(yōu)化了數(shù)據(jù)校正技術(shù)和加工條件，以匹配EUV光刻所用光掩膜的復(fù)雜曲面圖案結(jié)構(gòu)。

DNP已安裝了新的MBMW，并計劃于2024年下半年開始投入使用。我們還將加強對半導(dǎo)體制造先進領(lǐng)域的支持，如EUV光刻所用的光掩膜。

DNP將與總部設(shè)在比利時的國際尖端研究機構(gòu)校際微電子中心(imec)共同推進用于下一代EUV曝光設(shè)備的EUV光掩膜的開發(fā)。

[展望未來]

DNP將向全球半導(dǎo)體相關(guān)制造商提供新開發(fā)的能夠支持3納米EUV光刻的光掩膜。此外，我們還將支持開發(fā)EUV光刻的外圍技術(shù)，目標是在2030年實現(xiàn)100億日元的年銷售額。

通過與imec等合作伙伴的聯(lián)合開發(fā)，DNP將繼續(xù)開發(fā)更先進的光掩膜，以支持3納米甚至2納米以下的更精細的工藝。

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關(guān)于DNP

DNP成立于1876年，現(xiàn)已發(fā)展成為一家領(lǐng)先的跨國公司。我們充分利用基于印刷的解決方案和日益增多的合作伙伴的優(yōu)勢來締造新的商機，同時保護環(huán)境以及為所有人創(chuàng)造一個更有活力的世界。憑借我們在微加工和精密涂層技術(shù)領(lǐng)域的核心競爭力，我們?yōu)轱@示、電子設(shè)備和光學(xué)薄膜市場提供各種產(chǎn)品。我們還開發(fā)出了均溫板(vapor chamber)和反射陣列等新產(chǎn)品，以此提供下一代通信解決方案，推動建設(shè)更加以人為本的信息社會。

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能夠支持3納米EUV光刻的光掩膜（照片：美國商業(yè)資訊）

能夠支持3納米EUV光刻的光掩膜（照片：美國商業(yè)資訊）